镀膜机-大型磁控溅射镀膜机-至成镀膜机供应

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真空镀膜设备故障排除及检漏方法

真空镀膜设备故障排除及检漏方法在真空镀膜设备正常工作时,主开关电路中的开关管处于饱和导通状态,管压降保持在100V左右,栅极得到正偏压50V,高压指示6kV(或10kV)。从检测电路R21上得到的电压控制信号不足以使D13稳压管击穿导通,BG14、BG15、BG16处于截止状态,而BG11、BG12、BG13处于导通状态,由BG11输出一个2.5V左右的高电位。栅压切换电路上的BG10得到2.5V的电压控制信号而处于导通状态,使得BG9的基极电位变为0电位而截止,主开关管通过D6、D7得到正向50V偏置的电压。同时BG7、BG8也处于导通状态,D8稳压管击穿导通,提供主开关管栅极恒定的电流。由于BG10处于导通状态,使得帘栅控制电路的BG4的基极处在0电位而截止,帘栅压的大小受高压分压器信号UR2的控制。当UR2amp;lt;UD2时,输出的帘栅压的大小是随UR2的变化而变化。

在真空镀膜设备不正常情况下,增加束流时,由于束斑的位置不在中心,电子束可能会打到坩埚的边缘,或者束斑的位置在中心,但蒸镀的材料被打穿等原因,都会出现高压无指示。这是由于高压输出被近似短路,造成电子束流大于预定值,主开关管处于截止状态,承受全部高压,使得高压无输出。由于打火而造成过大的束流,在电流检测电路R21取得的过流信号,使得D13稳压管被击穿导通,BG14、BG15、BG16处于导通状态,C13通过BG14、R51放电,使得BG11、BG12、BG13很快截止,BG11输出为0V。栅压切换电路上的BG10得到0V的输入信号而截止,BG9立刻导通,550V正端通过BG9接到主开关管的阴极,负端通过D5管接到主开关管的栅极,主开关管得到-550V偏压而进入深度截止,此时高压就没有指示了。

真空镀膜机原理和各部件分析

真空镀膜机是目前制作真空条件应用最为广泛的真空设备，一般用真空室、真空机组、电气控制柜三大部分组成，排气系统采用“扩散泵 机械泵 罗茨泵 低温冷阱 polycold”组成。至成真空科技专业从事真空镀膜设备的研发与生产拥有经验丰富的技术团队及优质的售后服务队伍为您解决设备在使用过程中遇到的任何问题。

真空主体——真空腔根据加工产品要求的各异，真空腔的大小也不一样，目前应用多的有直径1、3M、0、9M、1、5M、1、8M等，腔体由不锈钢"target=_blankgt;不锈钢材料制作，要求不生锈、坚实等，真空腔各部分有连接阀，用来连接各抽气泵浦。

二、辅助抽气系统：排气系统为镀膜机真空系统的重要部分，主要有由机械泵、增压泵(主要介绍罗茨泵)、油扩散泵三大部分组成。此排气系统采用“扩散泵 机械泵 罗茨泵 低温冷阱 polycold”组成。排气流程为：机械泵先将真空腔抽至小于2、0*10-2PA左右的低真空状态，为扩散泵后继抽真空提供前提，之后当扩散泵抽真空腔的时候，机械泵又配合油扩散泵组成串联，以这样的方式完成抽气动作。

真空镀膜机蒸发与磁控溅射镀铝性能

真空镀膜机电子束蒸发与磁控溅射镀铝性能分析研究，为了获得性能良好的半导体电极Al膜，我们通过优化工艺参数，制备了一系列性能优越的Al薄膜。通过理论计算和性能测试，分析比较了真空镀膜设备电子束蒸发与磁控溅射两种方法制备Al膜的特点。

严格控制发Al膜的厚度是十分重要的，因为Al膜的厚度将直接影响Al膜的其它性能，从而影响半导体器件的可靠性。对于高反压功率管来说，它的工作电压高，电流大，没有一定厚度的金属膜会造成成单位面积Al膜上电流密度过高，易烧毁。对于一般的半导体器件，Al层偏薄，则膜的连续性较差，呈岛状或网状结构，引起压焊引线困难，造成不易压焊或压焊不牢，从而影响成品率;Al层过厚，引起光刻时图形看不清，造成腐蚀困难而且易产生边缘腐蚀和“连条”现象。

采用真空镀膜机电子束蒸发，行星机构在沉积薄膜时均匀转动，各个基片在沉积Al膜时的几率均等;行星机构的聚焦点在坩埚蒸发源处，各个基片在一定真空度下沉积速率几乎相等。采用真空镀膜机磁控溅射镀膜方法，由于沉积电流和靶电压可以控制，也即是溅射功率可以调节并控制，因此膜厚的可控性和重复性较好，并且可在较大表面上获得厚度均匀的膜层。

附着力反映了Al膜与基片之间的相互作用力，也是保证器件经久耐用的重要因素。真空镀膜设备溅射原子能量比蒸发原子能量高1-2个数量级。真空镀膜机高能量的溅射原子沉积在基片上进行的能量转换比蒸发原子高得多，产生较高的热能，部分高能量的溅射原子产生不同程度的注入现象，在基片上形成一层溅射原子与基片原了相互溶合的伪扩散层，而且，在真空镀膜设备成膜过程中基片始终在等离子区中被清洗，清除了附着力不强的溅射原子，净化基片表面，增强了溅射原子与基片的附着力，因而溅射Al膜与基片的附着力较高。